Samsung começa a produção de chips de PRAM (Phase change RAM), depois de uns meses de atraso.

PRAM é um tipo de memória não volátil que armazena a informação mudando o cristal de ”chalcogenide” entre dois estados: cristalino e amorfo. Supõe-se que poderá ser até mais 30 vezes rápida e suportar mais 10 vezes ciclos de escritura que as memórias flash de tipo NOR e NAND.

O primeiro chip PRAM de Samsung é de 512Mb e está fabricado usando um processo de fabricação de 60nm. Pode apagar 64 KWs (Kilowords) em 80 milisegundos, o qual é mais 10 vezes rápido que uma memória flash NOR. E em segmentos de dados de 5 Megabytes, o chip pode apagar e reescrever dados aproximadamente mais 7 vezes rápido que uma memória flash NOR.

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